| 型号： | CSD86330Q3D | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Texas Instruments | 描述： | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| CSD86330Q3D PDF |  |
| 产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
| 视频文件 | PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 特色产品 | CSD86330Q3D NexFET? Power Block CSD86330Q3D Power Block and TPS53219 Buck Controller |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | NexFET™ |
| FET 型 | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.6 毫欧 @ 14A，8V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大 | 6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-LDFN |
| 供应商设备封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | 296-28216-1 |